Kollektor-Emitter-Spannung — ist mit UCE bezeichnet Die Kollektor Emitter Spannung oder UCE gibt an, wie hoch der Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist. Solange der Transistor vollständig gesperrt ist (d. h. wenn keine Basis Emitte … Deutsch Wikipedia
Basis-Spannung — Schaltbilder von Transistoren. Links ist der Basis Anschluss und unten der Emitter Anschluss. Unter Basis Emitter Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis Anschluss und dem Emitter Anschluss an einem… … Deutsch Wikipedia
Kollektor-Strom — Der Kollektor Emitter Strom bezeichnet den Strom, der über den Kollektor eines Bipolartransistors in den Emitter fließt. Ebers Moll Modell eines npn Transistors Der Kollektor Emitter Strom ist eine Folge der zwischen Basis und Emitter angelegten… … Deutsch Wikipedia
Kollektor-Emitter-Strom — Der Kollektor Emitter Strom bezeichnet den Strom, der über den Kollektor eines Bipolartransistors in den Emitter fließt. Ebers Moll Modell eines npn Transistors Der Kollektor Emitter Strom ist eine Folge der zwischen Basis und Emitter angelegten… … Deutsch Wikipedia
Basis-Emitter-Spannung — Spannungen an einem npn Bipolartransistor Unter Basis Emitter Spannung versteht man die elektrische Spannung, die zwischen dem Basis Anschluss und dem Emitter Anschluss an einem Bipolartransistor abfällt. Sobald an der Basis eine ausreichende… … Deutsch Wikipedia
Early-Spannung — im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten Modulation (Early Effekt) … Deutsch Wikipedia
Verstärker von Spannung, Strom und Leistung — Als Verstärker bezeichnet man in mehreren Stufen zusammengefasste elektronische Schaltungen oder Geräte, die unter Verwendung von aktiven Bauelementen, wie z.B. Transistoren, oder seltener (bei Spezialanwendungen) auch Elektronenröhren… … Universal-Lexikon
Bipolartransistor/Mathematische Beschreibung — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Gleichstromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Stromverstärkungsfaktor — Das physikalische Verhalten des Transistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Transistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige weitere… … Deutsch Wikipedia
Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors — Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichem auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können. Zusätzlich gilt es einige … Deutsch Wikipedia
